KRYSTAL株式会社のFe-MEMS® PZTは、Si基板およびSOI基板上にエピタキシャル成長させており、逆格子空間マッピング法で測定すると、一般的な一軸配向PZTと異なりドット状のパターンが得られています。

Fe-MEMS® PZTの最大の特長は、成膜直後にポーリングされており、後のポーリング処理が必要ありません。また、成膜後に650℃の熱処理を行なってもポーリング状態は残っています。低電圧で使用するセンサ用途で、特に優位性を発揮しています。